Дифференциальное сопротивление по переменному току при пробоином участке в глубоких уровнях в кремниевом p-n п

Вольт-амперная характеристика, зависимости немонотонной температуры от дифференциального сопротивления и изменение знака температурного коэффициента зависит от изменения напряжения пробоя. Изменение знака температурного коэффициента связано с зарядкой области пространственного заряда в p-n переходе, которая происходит в глубоком уровне. Из-за лавинного пробоя в кремнии изменение заряда в глубоком уровне оказывает сильное влияние на увеличение и уменьшение вероятности образования микроплазмы. Измерение возможности включения микроплазмы без заполнения глубоких центров позволяет получить информацию о механизме создания носителей заряда в микроплазменных каналах p-n перехода.