Электроника, Т-8425

1. Начертить в Компасе вид сверху и сечение топологии многоэмиттерного транзистора с закорачиваемым эмиттером. Чертеж на A3. Масштаб выбирать по своему усмотрению. На чертеже должны быть указаны основные размеры топологических элементов (на виде сверху). На сечении указать тип проводимости каждого из слоев. Кроме того, на чертеже должны быть указаны конструктивные элементы топологии (эмиттер, база, коллектор, проводник, подложка и пр.) и материал их изготовления, а на свободном месте приведено условное графическое обозначение (УГО) электронного компонента по ГОСТ.

2. К разработанному чертежу привести подробное описание технологического процесса изготовления данного электронного компонента. ( в Word'e)

_______________________________________

Выкладываю готовый пример выполнения (в архиве файлы), мне надо так же