Исходные вещества SiCl4, O2, SiF4 при температуре примерно 1000 -2000 К образуют частицы SiO2, F2. Нужно расчитать глубину диффузионного насыщения образующихся частиц SiO2 (кварцевого стекла) фтором в зависимости от скорости потока исходных веществ и температуры нагрева?
Скорости потока исходных веществ могут быть в диапазоне от 0 до 1000 мл/мин, температура нагрева от 1000 до 2000 К.
Гарантия на работу | 1 год |
Средний балл | 4.96 |
Стоимость | Назначаете сами |
Эксперт | Выбираете сами |
Уникальность работы | от 70% |