Решить 14 задач по электронике и кратко ответить на 4 вопроса

1. Используя приведенную на рис.1 вольт-амперную характеристику диода, определите величину прямого, обратного сопротивления, крутизну.
2. Сопоставьте между собой величины прямых напряжений на переходах полупроводниковых диодов при температуре Т=300 К, если через диод протекает ток величиной 50 мА, при этом в германиевом p-n переходе величина обратного тока насыщения I0 =2 мкА, а в кремневом - I0 = 10-9 А.
3. Определить емкость полупроводниковых диода типа варикапа при обратном напряжении U2=10 В. Емкость варикапа при температуре t = 20оС и обратном напряжении U1=5 В равна С1 = 50 нФ. Концентрация носителей зарядов составляет: ni =1,5*1016 м-3, Nа =1020 м-3, Nд = 2*1020 м-3 собственной, акцепторной и донорной примеси, соответственно.
4. Определить дифференциальное сопротивление полупроводникового диода, если температура t = 65оС, а величина тока через диод составляет I = 0,4 мА.
5. Используя вольт-амперные характеристики транзистора КТ 803 А включенного по схеме с общим эмиттером (рис.2) найдите дифференциальные h-параметры, если известны значения в рабочей точке: ток базы IБ = 0,15 А и напряжение на коллекторе UКЭ = 20 В.
6. Задана схема включения биполярного транзистора с общим эмиттером. Напряжение источника питания ЕПИТ =40 В, ток базы IБ =0,1 А, сопротивление нагрузки RH =10 Ом. Определите величину тока коллектора, напряжение между коллектором и эмиттером биполярного транзистора и мощность рассеиваемая на коллекторе транзистора. Вольт-амперные характеристики транзистора приведены на (рис.2).
7. Определить параметры транзистора в рабочей точке: ток базы IБ и напряжение на коллекторе UК при токе коллектора IК = 5 А, а мощность, рассеиваемая на коллекторе РК = 75 Вт. Использовать характеристики, указанные на рис.2.
8. Биполярный транзистор включен по схеме с общей базой, при этом число дырок покинувших эмиттер и достигнувших коллектор составляет 100 и 96 соответственно. Определите величину тока коллектора, если ток эмиттера равен 50 мА, а величина обратного тока коллекторного перехода составляет 0,01% от тока эмиттера.
9. Охарактеризовать тип логического элемента (рис. 3). Определить состояние (режим) транзисторов VT1, VT2 , если ко входу 1 приложено напряжение уровня логической единицы, а ко входу 2 – напряжение уровня логического нуля. Записать аналитическое выражение для величины напряжения на выходе логического элемента, полагая: напряжение уровня логического нуля равно 0,1 В, напряжение уровня логической единицы – 2,4 В, падение напряжения на открытом p-n переходе равным 0,7 В, напряжение Eп = 5 В.
10. Задан транзистор ГТ108Б. Изобразить условное обозначение, привести его расшифровку. К электродам транзистора подведены напряжения: коллектор 5 В, эмиттер 8 В, база 3 В. Определить режим работы.
11. Вычислите значения параметров транзистора: крутизну, внутренне сопротивление и коэффициент усиления по напряжению в рабочей точке. Характеристика рабочей точки: напряжение затвор-исток и сток-исток: UЗИ = -1 В, UСИ = 5 В. Использовать характеристики, указанные на рис.4.
12. Задана схема с общим истоком для полевого транзистора. Нагрузка активная. Напряжение источника питания ЕПИТ = 10 В, а напряжение, подводимое к электродам затвор-исток составляет величину равную UЗИ = -1 В и величина сопротивление нагрузки составляет RH = 500 Ом. Используя ВАХ (рис. 4) найдите значение тока стока и напряжение сток-исток.
13. Полевой транзистора включен по схеме с общим истоком. Найдите систему Y – параметров, если значения напряжения, подводимые к электродам затвор-исток и сток-исток в рабочей точке равны величинам: UЗИ = -1В, UСИ = 5 В. В задаче использовать характеристики, указанные на рис.4.
14. Требуется определить для полевого транзистора с управляющим p-n переходом значение крутизны, если величина тока стока равна IСmax = 1 мА, напряжение отсечки составляет Uотс = 9 В, а величина напряжения, подводимого к электродам затвор-исток принимает значение равным UЗИ = 3 В.
15. Требуется пояснить каким образом ведет величина барьерной емкости p-n перехода с ростом концентрации донорной примеси в его n-области.
16. Требуется пояснить чем обусловлено существование конечного времени рассасывания заряда базы в транзисторе, при реализации ключевого режима.
17. Требуется пояснить каким образом ведет величина крутизны полевого транзистора с p-n-затвором и каналом n-типа в зависимости от роста частоты сигнала.
18. Требуется пояснить каким образом ведет величина напряжения насыщения с уменьшением величины напряжения, подводимого к электродам затвор-исток в полевом транзисторе МДП структуры с каналом n-типа.