Решить 2 задач по физике

1: При Т = 400 к концентрация дырок в валентной зоне собственного полупроводника p; = 3.2·10'8 м3. Ширина запрещенной зоны полупроводника Eg = 1.2 эв. Определить концентрацию и электронов в зоне проводимости полупроводника при температуре 300 К. Во сколько раз изменится удельное сопротивление собственного полупроводника при понижении температуры? Зависимостью подвижности электронов и дырок от температуры пренебречь. 2: Известно, что при температуре 350 к концентрация дырок в собственном полупроводнике р. = 6-109 1/м3. В полупроводник вводятся примеси n-типа в количестве 1 атома на 10 атомов полупроводника. Определить
концентрацию основных и неосновных носителей тока. Концентрация
атомов в полупроводнике 3 1028 м3. Определить удельное сопротивление примесного полупроводника, если подвижности носителей заряда н= 0.3 M?/BC, p=0.15 M?/B°C.