4.1. В кубической кристаллической решётке постройте плоскости с...

4.1. В кубической кристаллической решётке постройте плоскости с индексами Миллера (121) и (12?1?).
4.3. Кольцевой магнитопровод массой M=0,25 кг перемагничивается переменным магнитным полем напряженностью Hм=125 А/м, частотой f=400 Гц. Магнитная проницаемость материала ?=7000; tg ?=0,9; плотность материала
магнитопровода D=7,5?103
кг/м3
. Определить: а) мощность Pc
, выделяемую в магнитопроводе, б) удельную мощность
pc в Вт/кг. Ответ. а) Pc= 1,467 Вт, б) рс=5,87 Вт/кг.
4.4. Диэлектрик в форме прямоугольного параллелепипеда длиной l=5 см и площадью поперечного сечения
b?h=2?0,5 см2
с торцов покрыт металлическими электродами. При напряжении U0=1500 В через диэлектрик проходит
ток I0=10-9 А. Найти удельное поверхностное сопротивление диэлектрика ?s
, если его удельное объёмное сопротивление ?v=1010 Ом·м. Ответ. ?s =2,14·1012 О
4.5. При температуре 300 К для монохроматического излучения с длиной волны 1 мкм показатель поглощения
кремния ?=104 м
-1, а коэффициент отражения излучения R=0,3. Определить, какая доля потока излучения Ф(h) пройдёт
через пластину кремния толщиной h=300 мкм при нормальном падении лучей.