Лабораторная работа "Исследование свойств полупроводникового p-n перехода" (доделать)

Задача 2. Определение ширины запрещенной зоны полупроводника

1.    Установить обратное напряжение -40В. V

2.    Изменяя температуру диода от 0 до 100°С с шагом 5°С измерить зависимость обратного тока насыщения. V

3.    Заполнить таблицу экспериментальных данных. Построить график , определить  через тангенс угла наклона полученной прямой.

4.    Сделать вывод по проделанной лабораторной работе.