работы по микроэлектронике

Выполнить 3 вариант ( интегральный диод на переходе БЭ-К) в соответствии с примером.

Начертить самостоятельно в программной среде (графический редактор или САПР, например Компас, Altium Designer, Solid Works, AutoCAD и др.) вид сверху и сечение топологии предложенного электронного компонента (определяет преподаватель). Чертеж должен быть выполнен на стандартном листе формата A3 (с угловым штампом). Масштаб выбирать по своему усмотрению. На чертеже должны быть указаны основные размеры топологических элементов (на виде сверху). На сечении указать тип проводимости каждого из слоев. Кроме того, на чертеже должны быть указаны конструктивные элементы топологии (эмиттер, база, коллектор, проводник, подложка и пр., в зависимости от задания) и материал их изготовления, а на свободном месте приведено условное графическое обозначение (УГО) электронного компонента по ГОСТ.

К разработанному чертежу привести подробное описание технологического процесса изготовления данного электронного компонента.

Примечание:

1. В файле "варианты заданий" можно найти свой вариант.

2. В приведенной литературе можно найти достаточно материалов для успешного выполнения задания.

3. Для удобства имеется пример выполнения задания.