Определить длину канала МДП транзистора для двух случаев: индуцированного канала n-типа и p-типа. При расчете полагать, что подвижность носителей заряда в канале в 2 раза меньше справочной, приводимой для объемных полупроводников. Рабочая температура 300К. Материал полупроводника - кремний. Удельная крутизна стоко-затворной характеристики 0,5 мА/В^2. Ширина канала 0,56 мкм. Толщина позатворного диэлектрика 0,042. Все этапы решения пояснить.