Диод Шоттки на основе структуры Si-Ni (кремний-никель) изготовлен на пластине полупроводника толщиной d= 150 мкм (барьер Шоттки φ₀= 0,6эВ). Удельное сопротивление кремния 0,9 Ом×см; подвижность μₙ= 1400 см²/В×с. Площадь контакта S=10⁻⁶ см². При Температуре T=300К и обратном смещении Uобр.= 8 В через диод течет ток I= 4×10⁻⁸ A.
1. Определить ток насыщения диода.
2. Определить изменение барьера за счет эффекта Шоттки при Uобр.= 8 В.
3. Определить контактную разность потенциалов
Гарантия на работу | 1 год |
Средний балл | 4.96 |
Стоимость | Назначаете сами |
Эксперт | Выбираете сами |
Уникальность работы | от 70% |