1. Определить, на сколько изменится концентрация носителей заряда в собственном полупроводнике при изменении температуры с Т=320 К до Т=300 К. Определить концентрацию носителей заряда через 2 нс после скачкообразного изменения температуры, если время жизни носителей заряда положить 1 нс. Табличные данные для расчета можно взять из методического описания к лабораторному практикуму (в конце описания)
2. Определить, во сколько раз изменится тепловой ток идеализированного симметричного p-n перехода, если изменить его температуру с Т=320 К до Т=300 К, а концентрация примеси N=10^16 1/см^3
Примечание: материал для закрепления нужного раздела курса: по книге Федорова с. 21-27, 37-43, по книге Шишкина с. 20-30 (2009 г.), по книге Степаненко с. 63-85 (2001 г.)