2. Удельное сопротивление собственного кремния при T = 300 К равно 2000 Ом·м, собственная концентрация носителей заряда ni= 1,5·1016 м-3. Чему равно при этой температуре удельное сопротивление кремния n-типа с концентрацией электронов n = 10^20 м-3? Полагать, что подвижность электронов в три раза больше подвижности дырок и что это соотношение сохраняется как для собственного, так и для примесного полупроводника с заданной степенью легирования.
3. Определить, как изменится концентрация электронов в арсениде галлия, легированном цинком до концентрации NZn= 10^22 м-3, при повышении температуры от 300 до 500 К. Полагать, что при 300 К все атомы цинка полностью ионизированы.