В p-n-p транзисторе дырочная компонента тока эмиттера равна 1 мА, электронная компонента тока эмиттера равна 0,01 мА, дырочная компонента тока коллектора равна 0,98 мА, электронная компонента тока коллектора равна 0,001 мА. Вычислить коэффициент инжекции, коэффициент переноса, статический (интегральный) коэффициент передачи тока эмиттера ток базы.
В кремний введена примесь фосфора с концентрацией 1е16 1/(см*см*см). Рассчитайте его удельное сопротивление при температуре 300 К.
Рассчитайте высоту потенциального барьера p-n-перехода германиевого диода при температуре 300 К, если удельное сопротивление р-области составляет 2 Ом*см, а удельное сопротивление n-области 3 Ом*см.