Задание на курсовую работу. 1. Изучить модели переноса основных и неосновной носителей заряда в базе полевого транзистора 2. Выяснить зависимость ширины запрещённой зоны от концентрации донорных и акцепторных примесей 3. Уточнить зависимость подвижностей электронов и дырок в полупроводниках от величины приложенного напряжения. Получить выражение для скорости насыщенного движения эл и дырок и получить выражение для плотности насыщенного тока
Спасибо вам за ваш труд Все грамотно оформлено, что большая редкость в последнее время. Грамотный специалист. Сотрудничать с этим человеком просто одно удовольствие! Рекомендую всем, для кого важны качество и сроки исполнения.