2. Определите частоту колебаний электрического тока в образце n-GaAs длиной d=15 мкм
при приложении к нему постоянного напряжения. Примите подвижность электронов во второй долине зоны проводимости МЮn2= 3,1.10^-2 м^2/В*с, напряженность поля в области домена Ед=4,3*10^7 В/м.
3. Определите скорость поверхностной рекомбинации на обработанной пластине толщиной 0,35 мм, вырезанной из кристалла германия с объемным временем жизни неравновесных носителей заряда Т0=0,45 мс, если эффективное время жизни Тэфф=0,13 мс.