решить контрольную на странице 31-35 вариант 25, А так же ответить на 2 вопроса
Биполаярный транзистор в схеме с общим эмиттером.
Планарно-эпитаксильная технология изготовления ИС. Основные базовые процессы.
Гарантия на работу | 1 год |
Средний балл | 4.96 |
Стоимость | Назначаете сами |
Эксперт | Выбираете сами |
Уникальность работы | от 70% |