Предмет - Физика полупроводников, отправлю полный ворд-файл.
Рассчитать равновесное распределение сильно поляризуемой примеси (мелких однозарядных доноров) и потенциала в приповерхностной области полупроводника с диэлектрической проницаемостью . Поверхностный изгиб зон равен эВ, уровень легирования равен , температура установления равновесия равна . Расчет привести в приближении полностью обедненного слоя. Привести значения поверхностной напряженности электрического поля и концентрации примеси на границе раздела при поляризуемости примеси . Построить зависимость напряженности электрического поля в обедненной области от величины потенциала при трех значениях поляризуемости примеси , , .
Гарантия на работу | 1 год |
Средний балл | 4.96 |
Стоимость | Назначаете сами |
Эксперт | Выбираете сами |
Уникальность работы | от 70% |