Реферат на тему "Основные физические эффекты в субмикронных МОП транзисторах. Контактная разность потенциалов, электростатистика плоских слоев заряда, пороговое напряжение и его контроль, профили легирования, температурная зависимость порогового напряжения, расчет концентраций, емкость МОП структуры и квантовая емкость.
Написать реферат на страниц 30. Не надо копировать материал из одного-двух источников, будет проверка на антиплагиат, оригинальность, чем больше тем лучше, не меньше 50 %