Моделирование технологических процессов наноэлектроники

1. Провести моделирование одномерного распределения примеси и толщины оксида кремния после проведения процесса диффузии в кремнии в окислительной среде через окно в Si3N4 (2 мкм). Методы загонки примеси и режимы проведения процесса задаются преподавателем.
2. Разработать технологический маршрут и режимы изготовления заданных полупроводниковых структур с использованием предлагаемых моделей технологических процессов. В результате разработанного технологического маршрута получить заданную топологию