Исследование гетероструктур InGaAs/GaAs c квантовыми ямами и точками методом комбинированной СТМ/АСМ на сколах в жидкости

Требуется написать реферат, на тему: Исследование гетероструктур InGaAs/GaAs c квантовыми ямами и точками методом комбинированной СТМ/АСМ на сколах в жидкости.

Процент уникальности реферата

Уникальность работы должна быть не менее 90%. Проверка на плагиат по системам .

Требования к оформлению реферата

Нужно оформить реферат таким образом: шрифт Times New Roman 12, границы текста (поля): слева — 3,0 см; сверху и снизу - 2,0 см; справа — 2,0 см, 1,5 интервал, выравнивание по ширине, нумерация страниц в правом нижнем углу (не включая титульный лист), сноски внизу страницы 10 -м шрифтом с указанием страниц, откуда взята информация.