Разработка усилителя НЧ с использованием средств систем автоматизированного проектирования

МИНИСТЕРСТВО ВНУТРЕННИХ ДЕЛ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
ВОРОНЕЖСКИЙ ИНСТИТУТ
Кафедра радиоэлектронных устройств
КУРСОВОЙ ПРОЕКТ
по дисциплине: «Основы компьютерного проектирования и
моделирования радиоэлектронных средств»

Тема: «Разработка усилителя низкой частоты с использованием средств систем автоматизированного проектирования»

Задание
Исходные данные: схема электрическая принципиальная усилителя низкой частоты, представленная на рисунке 1.
Требутся:
1) составить задание на моделирование на входном языке пакета программ PSpice.
2) рассчитать размеры ПП и выполнить размещение радиоэлектронных компонентов на односторонней ПП;
3) разработать топологию печатного монтажа с использованием волнового алгоритма трассировки;
4) разработать топологию печатного монтажа с использованием лучевого алгоритма трассировки.
Исходные данные для раздела «Схемотехническое моделирование».
При составлении задания на моделирование необходимо учитывать исходные данные и следующие условия моделирования.
Параметры однотипных резисторов (R1-R10) укажите в директиве моделей компонентов. Параметры полупроводниковых приборов считайте описанными в библиотечном файле PARAM.LIB. Источник гармонического сигнала имеет амплитуду 50 мВ при постоянной составляющей 0,2 В, частоту 1 кГц.
Моделирование проводится для значений температуры -10°С и 50°С и при изменении коэффициента усиления (параметр ВF) транзистора VTЗ от 50 до 150 с шагом 20.
По постоянному току при изменении сопротивления резистора R3 от 3 кОм до 10 кОм в логарифмическом масштабе с количеством точек 200 рассчитайте чувствительность напряжения база-эмиттер транзисторов VT1 и VT2 и тока через диод VD3.
По переменному току рассчитайте частотные характеристики в диапазоне частот от 5 Гц до 500 кГц в линейном масштабе с количеством точек 5000.
Переходные процессы проанализируйте на интервале времени от 0 мс до 12 мс с автоматическим выбором шага вычислений и с шагом вывода данных равным 0,05 мс.
Выведите результаты моделирования в виде таблицы: изменение постоянного напряжение, между базой и эмиттером транзистора VT2 и тока через диод VDЗ.
Выведите результаты моделирования в виде графиков: переходные процессы на базе транзистора VTЗ и уровень выходного шума в относительных единицах и децибелах, частотные зависимости модуля напряжения на конденсаторе C7 и резисторе R7.

методичка прилагается

"рыба" работы прилагается